一般組 第二場次 (電子、奈米)
地點:IB-201/ 主持:李懿軒教授、黃皓庭教授
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時間 |
編號 |
題目 |
報告者 |
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13:00 – 13:05 |
主持人開場 |
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1 |
13:05 – 13:15 |
211-000 |
前驅液濃度對 (Mg0.2Mn0.2Co0.2Ni0.2Zn0.2)Al2O4 陶瓷燒結與介電性質之影響 |
陳朋宇 |
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2 |
13:15 – 13:25 |
211-001 |
SiO2-Bi2O3-B2O3-CuO系之無鉛玻璃應用於高功率模組基板金屬化導電漿料之燒結及機械性質的影響 |
陳冠宇 |
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3 |
13:25 – 13:35 |
212-001 |
SiO2-B2O3-Al2O3-CaF2-TiO2低介電微晶玻璃之結構及特性研究 |
劉丞恩 |
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4 |
13:35 – 13:45 |
212-002 |
鋯鈦酸鋇鈣與錫鈦酸鋇鈣薄膜堆疊結構之鐵電特性研究 |
陳妍均 |
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5 |
13:45 – 13:55 |
212-003 |
Effect of Chelating Agents on the Phase Formation and Powder Characteristics of High-Entropy Silicate Powders |
沈鈺芯 |
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6 |
13:55 – 14:05 |
212-004 |
Optimization of Calcination and Sintering Conditions for Spray-Dried ZnAl2O4 Ceramics and Evaluation of Their Structures and Properties |
謝岱凌 |
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7 |
14:05 – 14:15 |
212-005 |
核殼結構調控BaTiO3 – BiZn0.5Ti0.5O3陶瓷之弛豫型介電行為 |
吳冠諠 |
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8 |
14:15 – 14:25 |
212-006 |
High-Pressure Stabilization and Structural Characterization of Metastable Rocksalt Zn0.5Mn0.5O Bulk Materials |
汪晉揚 |
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9 |
14:25 – 14:35 |
212-007 |
Nb2O5摻雜對BaTiO3–BiMg0.5Ti0.5O3–NaNbO3陶瓷相結構與介電性質之影響 |
周奕誠 |
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10 |
14:35 – 14:45 |
212-008 |
BaTi2O5基陶瓷晶粒尺寸對介電性質之影響 |
陳芷棋 |
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11 |
14:45 – 14:55 |
212-009 |
ErYDySm摻雜對BaCeO3基質子傳導型電解質之物理性質影響 |
陳怡靜 |
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12 |
14:55 – 15:05 |
213-001 |
Self-Standing Sn-Doped MA2FASb2I9CNC Composite Films as Flexible Lead-Free Functional Ceramic-Like Photodetectors |
阮瓊花 |
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15:05 – 15:20 |
中場休息 |
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13 |
15:20 – 15:30 |
213-002 |
氮化矽基板之特性分析:微結構、機械性質、熱性質及25–170 GHz寬頻介電性質 |
趙國光 |
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14 |
15:30 – 15:40 |
213-003 |
氮化鋁基板之組成、微結構對機械性質、熱性質及1MHz-100 GHz介電性質之影響 |
趙國光 |
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15 |
15:40 – 15:50 |
214-001 |
Enhanced device performance in WSe2 P-FETs through a van der Waals Sb2O3 buffer layer |
郭競升 |
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16 |
15:50 – 16:00 |
214-002 |
(Ba,Sr)La4Ti4O15基底的高熵微波介電陶瓷的製備與介電特性研究 |
朱芸 |
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17 |
16:00 – 16:10 |
214-003 |
Pt/Mn/CeO2/Pt 結構之電阻式記憶體特性研究 |
李介瑞 |
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18 |
16:10 – 16:20 |
214-004 |
燒結溫度與持溫時間對 BaO–ZnO–B2O3–P2O5 玻璃陶瓷緻密化及低介電微波特性之影響 |
李凱棠 |
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19 |
16:20 – 16:30 |
214-005 |
冷燒結SiC |
林展煌 |
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20 |
16:30 – 16:40 |
312-001 |
碳量子點調控金銀核殼奈米粒子與奈米雲母矽片之混成材料設計及其高靈敏SERS應用 |
葉雨欣 |
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21 |
16:40 – 16:50 |
314-001 |
An Alternative Way of Amorphous Boron Nitride Deposition |
洪子普 |
