議程分組:C.電子陶瓷與薄膜
地點:A231
時間 |
論文編號 |
作者 |
題目 |
8:30-8:40 |
TCERS108018 |
劉紜蓁 國立清華大學 |
銅含量對於NiCuZn Ferrite的束縛燒結影響 |
8:40-8:50 |
TCERS108021 |
黃湘涵 國立臺灣大學 |
低溫燒結製備玻璃-鈦酸鍶介電陶瓷系統及其研究 |
8:50-9:00 |
TCERS108023 |
陳麒合 國立成功大學 |
利用膠鑄成型法製作鐵矽鉻合金粉末一體成型電感之研究 |
9:00-9:10 |
TCERS108025 |
韓宜庭 國立成功大學 |
以實驗及有限元素法探討保護層對積層陶瓷電容機械強度之影響 |
9:10-9:20 |
TCERS108035 |
謝政霖 明志科技大學 |
高應變(001)切面Zr和Mn共同摻雜(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3單晶奈米極化結構與壓電特性之研究 |
9:20-9:30 |
TCERS108038 |
劉亘浩 國立清華大學 |
以Cu0.5Ti0.5NbO4為燒結助劑的低溫燒結氧化鋁製程與性質 |
9:30-9:40 |
TCERS108015 |
朱鳴巍 明志科技大學 |
開發可抑制銀擴散之玻璃陶瓷材料應用於5G天線 |
9:40-9:50 |
TCERS108085 |
高嘉朋 國立聯合大學 |
以溶膠-凝膠法製備Sr(Zn13Nb23)O3熱電薄膜之研究 |
9:50-10:00 |
TCERS108086 |
黃鈺凱 國立聯合大學 |
低溫燒結0.9Bi12CeO20-0.1BiFeO3陶瓷材料微波介電特性之研究 |
10:00-10:20 |
休息 |
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10:20-10:30 |
TCERS108095 |
朱祐增 國立成功大學 |
不同濺鍍時間對鑭釤氧薄膜電阻式記憶體電特性影響及機制研究 |
10:30-10:40 |
TCERS108096 |
吳祐紳 國立成功大學 |
溶膠凝膠法製備ZrCeOx薄膜應用於電阻式記憶體之應用 |
10:40-10:50 |
TCERS108122 |
王勁翔 國立聯合大學 |
以射頻磁控濺鍍法製備MgO-SiO2-ZnO介電薄膜之研究 |
10:50-:11:00 |
TCERS108129 |
顏佑儒 國立臺灣大學 |
鎢酸鋇-鈮酸鋇複合陶瓷材料之微結構及介電性質 |
11:00-11:10 |
TCERS108135 |
葉榮冠 國立臺灣大學 |
Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3薄膜之製備與其鐵電和結晶性質分析 |
11:10-11:20 |
TCERS108136 |
鄭鈞右 國立臺灣大學 |
Preparation and characterization of Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3 (BNT-BT) ferroelectric thin films. |
11:20-11:30 |
TCERS108150 |
謝至承 國立台灣科技大學 |
異質摻雜對氧化銦鎵鋅薄膜缺陷與性質的影響 |
11:30-11:40 |
TCERS108159 |
戴大槿 國立中山大學 |
氧化亞銅在銅基板上的電化學磊晶成長研究 |